uabooks.top

Перші промислові зразки тиристорів з'явились наприкінці 50-х років XX ст. На сьогодні ці прилади широко використовуються.

Фізичні принципи, що покладені в основу польових транзисторів, були відомі давно, однак їх реалізація зазнала суттєвих технічних складнощів.

У польових транзисторах використовують ефект впливу поперечного електричного поля на провідність каналу, по якому рухаються носії електричного заряду.

Біполярним транзистором називають напівпровідниковий прилад, основу якого складають два електронно-діркових переходи, які взаємодіють, та який має три або більше виводів. Біполярний транзистор здатний підсилювати, виконувати генераторні та ключові функції.

Відповідно до системи позначень, розробленої до 1964 р., скорочене позначення діодів складалося з двох або трьох елементів. Перший елемент бук-вений: Д - діод. Другий елемент - номер, що відповідає типу діода...

Напівпровідниковим діодом називають компонент із двома виводами та одним електронно-дірковим переходом. Діод пропускає електричний струм лише в одному напрямку.

У сучасній техніці для виготовлення напівпровідникових приладів використовують елементи четвертої групи періодичної системи хімічних елементів германій та кремній, атоми яких мають по чотири електрони на зовнішніх валентних оболонках. 

В аналоговому мультиметрі застосовується стандартна вимірювальна шкала з покажчиком.

Значення напруги, струму або опору відлічуються від позиції вказівника на вимірювальній шкалі.

В останні роки все більше застосовують цифрові електровимірювальні прилади. Ці прилади вимірюють значення величини, що безперервно зміню-

ється, в окремі (дискретні) моменти часу та представляють отриманий результат у цифровій формі.

Дія приладів електродинамічної системи заснована на взаємодії двох магнітних потоків, створюваних струмом, що протікає по обмотці рухомої котуш

ки, і струмом, що проходить по нерухомій котушці. На рис. 9.5 показано схематично будову електродинамічного приладу.

В основі роботи приладів електромагнітної системи лежить принцип механічної взаємодії магнітного поля та феромагнітного матеріалу. Будова приладу схематично зображена на рис. 9.4.